不正競争防止及び営業秘密保護法 | SKハイニックスの半導体技術を中国に流出させた協力会社役員、懲役1.5年確定

不正競争防止及び営業秘密保護法違反の該当性が問題となった本件は、SKハイニックスの協力企業の役職員らが半導体製造工程に関わる中核技術及び装置図面を海外の競合企業に提供した容疑で起訴された事案です。

被告人らは、協業の過程で取得した半導体洗浄レシピ、HKMG(High-K Metal Gate)工程技術、先端洗浄装置の図面などを、中国の半導体企業の装置開発に活用させたものとして調査されました。

問題となった技術は、単なる参考資料ではなく半導体の性能に直結する中核的な工程情報であり、外部に公開されておらず、企業内部で厳格な管理が行われていた技術資料でした。

これにより、被告人個人だけでなく、犯行によって利益を得た協力会社法人もまた両罰規定に基づき共に起訴されました。

被告人らと検察官は、原審判決に不服として上告を提起しましたが、大法院は原審の判断に法理の誤解はないとして、上告をすべて棄却しました。

大法院は、次の点を明確にしました。

• 問題となった技術は、非公知性・経済的価値・秘密管理性を満たし、営業秘密に該当
• 共同開発技術であっても、契約及び管理体系に応じて保護対象となり得る
• 個人である役職員の犯行であっても、会社の利益と結び付いた場合には法人もまた処罰の対象となる

これにより、大法院は、被告人個人らに対する懲役刑と法人に対する罰金10億ウォンを最終的に確定し、原審の判断に論理則及び経験則に違反し、又は不正競争防止及び営業秘密保護法上の営業秘密の法理を誤解した誤りはないと判示しました。

本判決は、半導体産業に限定された判断ではなく、営業秘密の性格と国外移転行為の危険性を基準とした一般的な法理を示した事例です。

大法院は、企業の規模や業種ではなく、当該情報が競争上の優位を提供するか、内部で管理・統制されていたかを中心に判断しました。

あわせて、不正競争防止及び営業秘密保護法違反は、技術提供の事実だけで自動的に成立するものではないものの、技術の一部提供、設計方向の説明、工程概念の共有など、形式上は限定的な行為であっても、実質的に競合企業の技術開発に寄与した場合には違法性が認められ得るとみました。

特に、NDAの締結の有無、業界の慣行、上位者の指示の有無は、違法性を当然に排除する事由とはなり得ないことを明らかにしました。

本判決は、半導体産業だけでなく、IT・製造・バイオなど技術集約型産業全般に重要な示唆を与えます。

第一に、共同開発技術に対する認識の転換が必要です。
共同で開発した技術であっても、契約と管理の構造に応じて営業秘密として保護され得ます。

第二に、役職員個人の判断が企業全体のリスクへと拡大し得ます。
技術提供の主体が個人であっても、会社の利益と結び付いた場合には法人の処罰につながり得ます。

第三に、事前管理の欠如は刑事責任に直結します。
技術資料へのアクセス統制、外部提供の手続、海外取引の検討体系が不十分な場合、事後の釈明だけでは責任を免れることは困難です。

今回の判決は、技術流出が個人の実刑と法人への高額な罰金の賦課につながり得ることを示しています。

不正競争防止及び営業秘密保護法違反が問題となる余地がある場合には、事件の発生後ではなく、調査の着手前の段階から法的な点検と対応が行われるべきです。